Le memorie flash appartengono già al passato: alla Rice University di Houston, nel Texas, hanno ideato un sistema di memorizzazione più efficiente, più affidabile e meno avido di energia.

La scoperta del team guidato dal professor James Tour si basa sul grafene, un materiale bidimensionale (ha lo spessore di un solo atomo) ottenuto dalla grafite, e dovrebbe consentire di passare dagli attuali chip flash costruiti a 45 nanometri a celle di memoria grandi solo 10 nanometri, aumentando dunque lo spazio di memorizzazione.

I vantaggi, però, non si fermano qui; il sistema, basato su stringhe di 10 molecole di grafene, per registrare le informazioni si basa sulle condizioni della stringa stessa: un impulso elettrico può meccanicamente spezzarla o riunirla, permettendo così di ottenere i due stati (0 e 1) necessari.

"È enorme, un milione a uno", ha dichiarato Tour. "La memoria a cambiamento di fase - l'altra possibilità che l'industria sta valutando - ha un rapporto di 10 a uno. Ciò vuol dire che lo stato off ritiene, diciamo, un decimo della corrente elettrica rispetto allo stato on".

Tutto ciò comporterebbe una maggiore affidabilità della soluzione di Tour rispetto alle memorie phase change: se per queste ultime basta un impulso energetico relativamente ridotto per cambiare stato da off a on, la possibilità di errori aumenta. Le memorie al grafene, invece, sarebbero enormemente più affidabili.

In aggiunta a grande capacità e affidabilità, il professore sottolinea la velocità della propria soluzione e anche la lunga durata, "enorme, molto maggiore di quella delle memorie flash".

L'unico vero problema è la realizzazione di questi dispositivi: "Tipicamente, è molto difficile di pensare di fabbricare commercialmente il grafene", anche se grazie alla tecnica della depositazione anche questa difficoltà può essere superata "molto facilmente".