IBM, che da poco ha festeggiato il proprio centesimo compleanno, da tempo è impegnata nella ricerca sulle memorie a cambiamento di fase.

Si tratta di dispositivi di memoria non volatile che utilizzano un materiale in grado di cambiare fase - da amorfa a cristallina e viceversa - in maniera controllata applicando una corrente

La fase cristallina, con bassa resistenza elettrica, rappresenta un 1 logico; la fase amorfa, con alta resistenza, uno 0 logico.

Il ritrovato di IBM non è solo più veloce, ma anche più affidabile e resistente nel tempo: può sopportare almeno 10 milioni di cicli di scrittura, laddove le migliori FLash di livello aziendale arrivano a 30.000 cicli (e quelle di classe consumer appena a 3.000).

Questa nuova tecnologia - dimostrata con un chip di prova costituito da 200.000 celle e fabbricato a 90 nanometri - è in grado di memorizzare quattro bit di dati per cella (la versione precedente arrivava a un solo bit) ed è sufficientemente economica da lasciar prevedere un utilizzo generalizzato.

IBM conta di realizzare un prodotto commercializzabile entro cinque anni.