Oggi. La frequenza del processore non è aumentata di molto (siamo a 3,20 GHz), ma il processore Intel Pentium 4 Extreme Edition, con supporto per la tecnologia Hyper-Threading, garantisce una grafica evoluta grazie alle maggiori velocità di riproduzione delle immagini e al livello più elevato di dettagli del rendering: un fattore fondamentale per ottenere videogame più realistici.

La vera novità, in questo processore, è la cache di terzo livello on die da 2 MB, che è in grado di precaricare un buffer di immagini grafiche o un fotogramma video prima che siano richiesti dal processore, per offrire una resa più elevata e maggiori velocità di riproduzione delle immagini durante l'accesso alla memoria e ai dispositivi.

Basato sulla tecnologia di processo a 0,13 micron di Intel, il processore Intel Pentium 4 Extreme Edition comprende una cache di secondo livello da 512 KB, una cache di terzo livello da 2 MB e un bus di sistema a 800 MHz. È compatibile con le attuali famiglie di chipset Intel 865 e Intel 875 e con la memoria di sistema standard.

Domani. Presto si utilizzeranno nuovi materiali in sostituzione di quelli impiegati da oltre 30 anni nella produzione dei chip: un passo avanti significativo nel tentativo di ridurre la dispersione di corrente nei transistor, un problema di progettazione molto importante a causa del continuo aumento del numero di transistor inseriti in minuscole piastrine di silicio.

Per capire di cosa parliamo, definiamo che cosa siano i transistor: si tratta di microscopici interruttori di silicio che elaborano le sequenze di uno e zero del mondo digitale. Il gate accende e spegne il transistor, mentre il dielettrico di gate è un isolante posto al di sotto del gate che controlla il flusso della corrente elettrica. L'innovazione arriverà grazie ad un nuovo materiale, denominato high-k (ad alta costante k), per il "gate dielectric" (dielettrico di gate) e nuovi materiali metallici per il "gate" dei transistor.

Il nuovo materiale high-k dovrebbe ridurre di oltre 100 volte la dispersione di corrente rispetto al biossido di silicio utilizzato negli ultimi trent'anni. Intel ritiene che queste nuove scoperte possano essere integrate in un processo di produzione economico in grandi quantità, e ha iniziato a trasferire questa ricerca sui transistor nella fase di sviluppo. I transistor basati su questi nuovi materiali dovranno essere integrati nei futuri processori Intel a partire dal 2007, nell'ambito del processo di produzione a 45 nm dell'azienda.