Mentre Dell si adopera per l'approvazione dei moduli CAMM - destinati, nelle intenzioni, a sostituire i moduli SO-DIMM delle RAM per portatili - la californiana Lam Research è al lavoro per «definire la prossima generazione» di RAM, con il lancio dei primi moduli 3D.

Se i tradizionali moduli DRAM si possono considerare "2D", in quanto i chip sono costituiti da transistor disposti su un piano, Lam sogna moduli composti da chip in cui i transistor sono disposti sfruttando tutte e tre le dimensioni, al fine di aumentare la densità di memoria a parità di superficie occupata.

Al momento, Lam ha creato soltanto il progetto delle future RAM 3D, simulandone il design tramite il software proprietario SEMulator 3D, e sta studiando le varie questione che questa architettura inedita presenta, dalla sovrapposizione dei vari livelli alla riduzione delle dimensioni di condensatori e transistori, passando per la connessione tra le varie celle di memoria.

Tutto ciò comporta che ci vorranno - secondo le previsioni di Lam Research stessa - dai cinque agli otto anni prima che i moduli DRAM 3D vedano la luce: bisogna infatti considerare anche il fatto che al momento non esiste alcun impianto in grado di produrre i moduli secondo i progetti disegnati sinora.

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Mancano, insomma, gli strumenti per passare dalla progettazione alla produzione: già il primissimo progetto di Lam, che prevede l'utilizzo di 28 strati di celle di memoria, è al di là delle capacità dei macchinari in uso attualmente per la produzione di RAM.

L'idea di sviluppare "chip 3D" però non è certamente peregrina e, anche se è la prima volta che viene applicata al mondo delle memorie RAM, ha già visto applicazione nel mondo dei processori con i transistor 3D di Intel e per la realizzazione della cache L3, con prodotti che sono già ben presenti sul mercato quali i processori AMD con tecnologia 3D V-Cache.

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