Il segreto per avere smartphone con un'autonomia di almeno una settimana anziché di pochi giorni non sta (soltanto) nei miglioramenti che si possono apportare alle batterie: secondo IBM e Samsung, sta piuttosto in una nuova disposizione dei transistor sui chip.

Insieme, i due giganti hanno sviluppato una tecnologia che nelle loro intenzioni è destinata a soppiantare l'attuale FinFET: si chiama VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistor) e la differenza principale con FinFET sta nel fatto che i transistori sono disposti verticalmente.

Questo cambiamento, come spiega il video illustrativo (in inglese) che riportiamo alla fine dell'articolo, consente, a parità di superificie, di disporre un maggior numero di transistor; ciò a sua volta consente di ottenere prestazioni migliori, e una minor perdita di energia.

L'efficienza energetica dei chip realizzati in questo modo è dunque superiore a quella dei chip realizzati con le tecniche disponibili sinora: di qui discende la possibilità, per uno smartphone che adoperi chip VTFET, di avere un'autonomia molto superiore a quella di uno smartphone che adoperi chip FinFET, pur adoperando la stessa batteria.

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IBM e Samsung parlano esplicitamente di «batterie per cellulari che possono durare oltre una settimana, anziché giorni, senza aver bisogno di essere ricaricate» e di «raddoppio delle prestazioni» o di «riduzione del consumo di energia dell'85%» se si sceglie di mantenere le prestazioni inalterate.

I campi d'applicazione sono ovviamente anche più ampi: tra i dispositivi che beneficerebbero di questa innovazione ci sono quelli dell'Internet delle Cose, le sonde spaziali e i veicoli autonomi, ma anche i chip dedicati al mining e alla crittografia, operazioni che si potrebbero dunque condurre con un minore consumo di energia.

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Questa tecnologia, che secondo le aziende che l'hanno ideata manterrà in vita la legge di Moore ancora a lungo, ha già consentito di produrre i primi chip di test, anche se ci vorrà ancora del tempo prima di vederla approdare sul mercato.

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